[发明专利]一种巨磁致伸缩纳米多层膜及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 200710047575.9 | 申请日： | 2007-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101425357A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 王伟;钱士强;周细应 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | H01F10/32 | 分类号： | H01F10/32;H01F41/18;H01L41/20;B32B9/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 20162*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种巨磁致伸缩纳米多层膜及其制备方法和应用，该纳米多层膜是在单晶硅表面上磁控溅射巨磁致伸缩性能的多层膜材料，所述的纳米多层膜包括FeAl、TbFe2和NdFeB材料层，所述的单晶硅具有(100)取向。与现有技术相比，本发明制备的多层膜材料结构简单，具有较小的饱和磁场强度、矫顽力，优良的低场磁致伸缩性能，且性能稳定，可适合大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 巨磁致 伸缩 纳米 多层 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1. 一种巨磁致伸缩纳米多层膜，该纳米多层膜是在单晶硅表面上磁控溅射巨磁致伸缩性能的多层膜材料，其特征在于，所述的纳米多层膜包括FeAl、TbFe2和NdFeB材料层，所述的单晶硅具有(100)取向。
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