[发明专利]低电压/低漏电流的TVS二极管器件结构及其制备方法

摘要

一种低电压/低漏电流的TVS二极管结构及其制备方法，其方法包括步骤：S₁、在<100>晶面上形成外延层P-，S₂、在<100>晶面上刻蚀出深槽区域，S₃、在<100>晶面上的外延层P-中注入N杂质形成N型区，S4、表面热氧处理形成氧化层之后开出阳极接触和阴极接触。本发明的TVS二极管，包括P型浓衬底、外延层P-和N杂质，形成N+/P-/P++深槽隔离结构。本发明制备工艺成熟，产品具有反向击穿电压小于6V，反向漏电流为0.1-0.5μA的优点。

主权项

1、一种低电压/低漏电流的TVS二极管的制备方法，包括步骤：S1、在电阻率为0.002-0.04ohm·cm，衬底浓度为1E19-5E19/cm3的P型衬底<100>晶面上区域(101)，在1100℃条件下化学气相生长厚度为2.5-5μm，电阻率为10-50ohm·cm的P型外延生成外延层P-区域(102)，外延层P-区域(102)的浓度为1E14-1E16/cm3；S2、在所述<100>晶面取区域(103)进行干法刻蚀深槽结构，使得深槽一直达到P衬底上，深度为3-6um；S3、在晶面<100>上外延层P-中取N型注入区域(104)，以离子注入5E15-1E16/cm2的磷，形成N+注入，浓度为1E20/cm3，结深D1大约为0.5-1μm；S4、由表面热氧处理后形成10000A°的氧化层，然后在晶面<100>上适当处开出窗口，作为TVS二极管的阴极接触和阳极接触。