[发明专利]InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片

摘要

本发明公开了一种InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片，包括：在p－InP/InGaAs/n－InP外延片上通过刻蚀形成线列或面阵p－InP微台面。在p－InP微台面上置有与其欧姆接触的Au/Zn/Pt/Au/P电极区，在线列或面阵微台面边上有一刻蚀至n－InP层并置于n－InP层上的公共N电极区。除P、N电极区外，整个外延片上，包括侧面覆盖有氮化硅钝化层。在P电极区上置有与读出电路互连的电极互连区，该电极互连区覆盖部分微台面，并从微台面延伸至平面。本发明的优点是：保留的InGaAs层可使台面降低，InGaAs层的侧面得到有效保护。氮化硅钝化层可有效的起到抗反射和减小InP和InGaAs层表面态的作用，可以增加探测器的量子效率和减小暗电流。P电极采用AuZnPtAu，可与p－InP形成很好的欧姆接触，并且Pt可以有效的阻止Zn的外扩散，提高器件可靠性。

主权项

1.一种InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片，包括：半绝缘InP衬底，在InP衬底上生长有p-InP/InGaAs/n-InP外延片，其特征在于：在p-InP/InGaAs/n-InP外延片上通过刻蚀形成了线列或面阵p-InP微台面(4)，在p-InP微台面的局部区域上置有与p-InP欧姆接触的Au/Zn/Pt/Au/P电极区(6)，在线列或面阵微台面边上有一刻蚀至n-InP层并置于n-InP层上的公共电极区(7)，即N电极区，除P、N电极区外，整个外延片上，包括侧面覆盖有氮化硅钝化层(5)，在Au/Zn/Pt/Au/电极区(6)上置有与读出电路互连的电极互连区(8)，该电极互连区覆盖部分微台面，并从微台面延伸至平面。