[发明专利]原位自生氮化铝和镁二硅增强镁基复合材料及其制备方法无效
申请号: | 200710047944.4 | 申请日: | 2007-11-08 |
公开(公告)号: | CN101148722A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 张荻;张从发;范同祥;曹玮 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C22C23/00 | 分类号: | C22C23/00;C22C1/02 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种原位自生氮化铝和镁二硅增强镁基复合材料及其制备方法,所述复合材料中,镁合金基体的重量百分比含量为64%-97.6%,同时含有AlN和Mg2Si两相陶瓷颗粒重量百分比含量为2.4%-36%。镁合金基体中铝重量百分比含量是0%-9%,余量为Mg;AlN占材料总重量的百分比含量为1%-15%,Mg2Si占材料总重量的百分比含量为1.4-21%。制备如下:(1)在SF6+CO2混合气体保护条件下,将镁铝合金原材料完全熔化;(2)把用铝箔包好的Si3N4粉末压入镁铝熔体中;(3)加入Si3N4粉末后,升温并保温;(4)保温完成后降温并保温,并用石墨圆盘搅拌熔体后,捞去表面的浮渣,并浇铸于金属模具凝固后得到复合材料。本发明制得的复合材料具有轻质、高强、高模量、耐高温等特点。 | ||
搜索关键词: | 原位 自生 氮化 镁二硅 增强 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种原位自生氮化铝和镁二硅增强镁基复合材料,其特征在于,是由镁合金基体和同时含有AlN和Mg2Si两相陶瓷颗粒共同构成,其中:镁合金基体的重量百分比含量为:64%-97.6%,同时含有AlN和Mg2Si两相陶瓷颗粒重量百分比含量为:2.4%--36%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710047944.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:等离子体显示装置
- 下一篇:使用发光二极管(LED)作为光源的灯