[发明专利]一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法有效
| 申请号： | 200710047974.5 | 申请日： | 2007-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101159310A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;傅秀峰;陈邦明;吕杭炳;唐立;尹明 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中，作为存储介质的CuxO用湿法氧化方法制备，具体步骤为用一定浓度(10％到50％)的双氧水溶液，在一定温度(40度到80度)下接触暴露出的Cu引线表面，从而得到存储介质CuxO。本发明方法工艺简单，成本低，无污染，形成的存储介质均匀，且不会引入新的杂质，同时易于与集成电路的铜互连工艺集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cu sub 电阻 存储器 湿法 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法，其特征在于该存储器中，作为存储介质的CuxO采用湿法氧化方法制备，具体步骤为：用浓度为10％到50％的双氧水溶液，在40℃度到80℃下，接触暴露出的Cu表面，从而得到存储介质CuxO。
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