[发明专利]在铝酸锂晶片表面低温制备氮化铝薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710048012.1 | 申请日： | 2007-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101235540A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 周圣明;林辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/38 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种在铝酸锂晶片上低温制备氮化铝薄膜的方法，将抛光的(100)γ－LiAlO2晶片置于流动或密封氨气气氛环境中，在室温至800℃的温度范围内，保温0.1至120小时，对(100)γ－LiAlO2晶片表面进行氮化处理，在(100)γ－LiAlO2晶片表面获得一层高度c轴取向的(0001)氮化铝薄膜。这种表面覆盖有(0001)氮化铝薄膜的(100)γ－LiAlO2晶片的表面粗糙度明显降低，稳定性得到明显提高。用本发明方法制备的氮化(100)γ－LiAlO2晶片可作为衬底用于外延制备GaN、氮化铝、InGaN、ZnO等宽禁带半导体薄膜、厚膜以及功能器件。 | ||
| 搜索关键词： | 铝酸锂 晶片 表面 低温 制备 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在铝酸锂晶片表面低温制备氮化铝薄膜的方法，其特征是将铝酸锂晶片置于氨气气氛的容器中，对铝酸锂晶片表面进行低温氮化处理，在铝酸锂表面获得氮化铝薄膜。
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