[发明专利]一种制备Fe－Mn－Si磁性形状记忆合金薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710048081.2 | 申请日： | 2007-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101202144A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 何亮;钱士强 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | H01F10/12 | 分类号： | H01F10/12;H01F41/18 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴泽群 |
| 地址： | 200233*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明设计的一种制备Fe－Mn－Si磁性形状记忆合金薄膜的方法，其特征在于：该Fe－Mn－Si磁性形状记忆合金薄膜采用磁控溅射法中的两靶共溅法制得；其具体方法是：选择合金成分为Fe50Mn50～Fe70Mn30的合金制得直径为50－60mm、厚度1－5mm的FeMn合金靶，选择直径为50－60mm、厚度1mm单晶硅为单晶硅靶；采用纯铜片或玻璃作为基片，将Fe－Mn合金靶和单晶硅靶置于距基50cm、且与基片取向为60度位置，在溅射背底真空度＜10－5Pa条件下，溅射过程中保持Ar气压为0.1－1.0Pa，采用两靶共溅的方式在基片上沉积制得适用的Fe－Mn－Si薄膜；溅射时FeMn合金靶功率50－150W，单晶Si靶功率为20－80W。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 fe mn si 磁性 形状 记忆 合金 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备Fe-Mn-Si磁性形状记忆合金薄膜的方法，其特征在于：该Fe-Mn-Si磁性形状记忆合金薄膜采用磁控溅射法中的两靶共溅法制得。
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