[发明专利]一种定点沉积介质颗粒的方法有效
| 申请号： | 200710048118.1 | 申请日： | 2007-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101150041A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 孙震海;韩瑞津;郭国超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66;H01L21/31;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种定点沉积介质颗粒的方法，半导体器件包括基板和介质层，其中，介质颗粒与介质层的电势相反，但与光阻的电势相同；该方法包括如下步骤：a.在半导体器件的介质层上涂布一层光阻；b.通过显影制程，去除一部分光阻以露出介质层；c.散布介质颗粒，由于电势的吸引作用，介质颗粒沉积到介质层的表面；d.通过光阻清洗液去除光阻，则在半导体器件的指定区域沉积了介质颗粒。与现有技术相比，本发明可以将介质颗粒沉积在半导体器件的指定区域，在实验观察中很容易定位，而且在指定区域沉积，更有利于在清洗过程中观察颗粒在半导体器件表面不同区域的运动轨迹，节约了实验成本，提高了实验观察的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 定点 沉积 介质 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
1.一种定点沉积介质颗粒的方法，半导体器件包括基板和介质层，其特征在于：介质颗粒与介质层的电势相反，但与光阻的电势相同；该方法包括如下步骤：a.在半导体器件的介质层上涂布一层光阻；b.通过显影制程，去除一部分光阻以露出介质层；c.散布介质颗粒，由于电势的吸引作用，介质颗粒沉积到介质层的表面；d.通过光阻清洗液去除光阻，则在半导体器件的指定区域沉积了介质颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
