[发明专利]铁电场效应晶体管存储器件结构及制备方法无效
| 申请号： | 200710048216.5 | 申请日： | 2007-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101000926A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡道林;李平;张树人 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 铁电场效应晶体管存储器件结构及制备方法，属于微电子器件领域，具体涉及一种MFPIS结构的铁电场效应晶体管存储器件制备技术。本发明包括上电极、源区和漏区，从上到下各层依次为：PZT铁电薄膜、多晶硅、绝缘层、阱和Si基片，上电极位于PZT铁电薄膜上。本发明的有益效果是，克服了一般铁电存储效应器件界面性差，工作电压高的缺点，并具有良好的存储性能；本发明还提供了制备该铁电场效应晶体管方法，该方法工艺简单，并且与半导体工艺相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 效应 晶体管 存储 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、铁电场效应晶体管存储器件结构，包括上电极(108)、源区(104)和漏区(105)，其特征在于，从上到下各层依次为：PZT铁电薄膜(107)、多晶硅(106)、绝缘层(103)、阱(102)和Si基片(101)，上电极(108)位于PZT铁电薄膜(107)上。
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