[发明专利]一种超大功率半导体列阵外腔形变感测补偿技术无效
| 申请号： | 200710048802.X | 申请日： | 2007-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101079533A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡然 | 申请（专利权）人： | 蔡然 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/0683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四川省成都市成华*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了服务于超大功率半导体列阵稳定选择同相模的超大功率二维半导体列阵锁相区域感测补偿稳模系统结构设计方式方法，给出了探测子系统和补偿子系统的构建方式方法，包括构建两路探测子系统和补偿子系统，相应与CCD1相关的探测子系统和与外腔镜末端位置相关的补偿子系统的构建运行方式方法，与CCD2相关的探测子系统和与R2.2相关的补偿子系统的构建运行方式方法；在每一路探测子系统各探测一个方向形变参数的基础上，联合协同优化获取外腔形变补偿量的方式方法，及相应补偿外腔镜形变的方式方法。通过构建适配外腔转折结构的探测子系统和补偿子系统运行区域感测补偿锁相稳模技术，实现适时补偿由残余热效应等引起的外腔镜随机形变，使得采用倾斜匹配角度的外腔镜锁相的超大功率二维半导体列阵稳定地震荡于同相模，保障列阵稳定输出的高质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超大 功率 半导体 列阵 形变 补偿 技术 | ||
【主权项】：
1、服务于超大功率半导体列阵稳定选择同相模震荡的超大功率二维半导体列阵锁相区域感测补偿稳 模系统结构设计方式方法，其特征在于：列阵外腔采用转折结构，与外腔转折结构适配分区构建 外腔形变探测子系统和补偿子系统。
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