[发明专利]基于芴-咔唑共聚物的有机电致发光器件无效
申请号: | 200710049799.3 | 申请日: | 2007-08-21 |
公开(公告)号: | CN101114698A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 蒋亚东;于军胜;邓静;锁钒 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;C09K11/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于芴-咔唑共聚物的有机电致发光器件,包括透明衬底、阳极层和阴极层,其中一种电极位于透明衬底表面,还包括设置在所述阳极层和阴极层之间的有机功能层,它包括发光层或者空穴传输层,所述发光层在外加电源的驱动下发光,其特征在于,所述空穴传输层或发光层是利用旋涂工艺采用基于芴-咔唑的共聚物高分子材料制备的聚合物薄膜。该器件通过结构和功能层的组分改变,提高了荧光量子产率、热稳定性和化学稳定性,且能表现出良好的电致发光性能。 | ||
搜索关键词: | 基于 共聚物 有机 电致发光 器件 | ||
【主权项】:
1.一种基于芴-咔唑共聚物的有机电致发光器件,包括透明衬底、阳极层和阴极层,其中一种电极位于透明衬底表面,还包括设置在所述阳极层和阴极层之间的有机功能层,它包括发光层或者空穴传输层,所述发光层在外加电源的驱动下发光,其特征在于,所述空穴传输层或发光层是利用旋涂工艺采用基于芴-咔唑的共聚物高分子材料制备的聚合物薄膜,所述基于芴-咔唑共聚物高分子结构为以下结构式(1)或(2),或者两者的结合:R1,R2=CnH2n+1,n=1,2,3,…… (1)R1,R2=CnH2n+1,n=1,2,3,…… (2)上述结构式中,取代基R1,R2为烷基侧链,两者相同或不同,Ar为加入的衍生物核,该衍生物核为芳香基或者杂环取代基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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