[发明专利]一种改变薄膜力学及光学性能的方法无效
| 申请号： | 200710050806.1 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101197278A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 许向东;蒋亚东;张良昌;吴志明;袁凯 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改变薄膜力学及光学性能的方法，其特征在于，在衬底上设置一层具有压应力的非晶二氧化硅过渡层，然后在所述过渡层上再设置一层具有张应力的非晶氮化硅膜。该方法克服了现有技术中所存在的缺陷，通过性质相近、但应力相反的普通薄膜的简单叠加，改善原先陡峭的应力梯度，能够通过薄膜张应力的降低使非晶氮化硅薄膜的光折射率增大，而薄膜的硬度、杨氏模量等相应减小，从而有效地控制特定薄膜的应力，制备出内应力较低的低应力氮化硅薄膜，提高了薄膜的工作性能，降低了原料成本，适宜大规模产业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改变 薄膜 力学 光学 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改变薄膜力学及光学性能的方法，其特征在于，在衬底上设置一层具有压应力的非晶二氧化硅过渡层，然后在所述过渡层上再设置一层具有张应力的非晶氮化硅膜。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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