[发明专利]一种氮化铝压电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200710051036.2 | 申请日： | 2007-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101280412A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 石玉;钟慧;王华磊;黄光俊;杜波;蒋欣;何泽涛;赵宝林 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;B08B3/12;B32B7/02;B32B33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化铝压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤①：清洁基片，以铝作为靶材；步骤②：将基片送入磁控溅射机；步骤③：使用射频磁控溅射方法沉积具有压应力或者张应力的氮化铝多晶薄膜；步骤④：使用射频磁控溅射方法在步骤③所得的氮化铝多晶薄膜上沉积与该氮化铝多晶薄膜具有对应张应力或者压应力的氮化铝多晶薄膜；步骤⑤：反复交替进行步骤③和步骤④得到氮化铝压电薄膜。该方法得到的氮化铝压电薄膜具有低应力，使用寿命长，并且制备方法简单、反应步骤少、操作容易。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 压电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化铝压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤①：清洁基片，以铝作为靶材；步骤②：将基片送入磁控溅射机；步骤③：使用射频磁控溅射方法沉积具有压应力或者张应力的氮化铝多晶薄膜；步骤④：使用射频磁控溅射方法在步骤③所得的氮化铝多晶薄膜上沉积与该氮化铝多晶薄膜具有对应张应力或者压应力的氮化铝多晶薄膜；步骤⑤：反复交替进行步骤③和步骤④得到氮化铝压电薄膜；其中制备具有压应力氮化铝多晶薄膜工艺条件为：向真空室内通入工作气体Ar气和反应气体N2气，使工作气压为0.3～0.6Pa，反应气体N2在真空室内的含量大于80％，进行射频磁控溅射镀具有压应力性质的氮化铝多晶薄膜；制备具有压应力氮化铝多晶薄膜工艺条件为：调节真空室内工作气压为0.6～1Pa，反应气体N2在真空室内的含量范围为30％～80％，进行射频磁控溅射镀具有张应力氮化铝多晶薄膜。
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