[发明专利]一种复合场致电子发射材料及其制备方法和用途无效
| 申请号： | 200710051232.X | 申请日： | 2007-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101000844A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 方国家;李春;袁龙炎;刘逆霜 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J3/02;H01J9/02;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 | 代理人： | 程祥;冯卫平 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种复合场致电子发射材料，包括导电基底，以附着在导电基底上的氧化物纳米线、纳米带或纳米棒为基体，基体上生长有一维碳纳米材料。上述复合场致电子发射材的制备方法为：在导电基底上生长氧化物纳米线、纳米带或纳米棒，在氧化物纳米线、纳米带或纳米棒表面镀制过渡金属催化剂，然后在火焰中烧1－30分钟，形成以氧化物纳米线、纳米带或纳米棒为基体的一维碳纳米材料的复合场致电子发射材料。本发明制备工艺简单、成本低廉，制得的复合场致电子发射材料可作为发射阴极在场发射显示器或发光光源、X－射线电子源、质谱仪电子源及其它需要电子源的场合的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 致电 发射 材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种复合场致电子发射材料，包括导电基底，其特征是：以附着在导电基底上的氧化物纳米线、纳米带或纳米棒为基体，基体上生长有一维碳纳米材料。
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