[发明专利]多晶硅原料低能耗提纯制备方法无效
| 申请号： | 200710052244.4 | 申请日： | 2007-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101122046A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 罗应明;郭力 | 申请（专利权）人： | 晶湛（南昌）科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 330013江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种多晶硅原料低能耗提纯制备方法，首先将经还原处理的金属硅粉碎，再用王水、氢氟酸等酸洗，酸洗后送入连熔炉熔融，连熔炉内温度形成水平温度梯度和垂直温度梯度，从连熔炉出来的硅材料进入区熔炉，使区熔炉内形成区间温度梯度，运用热趋法排除硅碴，即可得到99.9999％纯度的硅。本发明的优点是：利用传统工艺设备连熔炉进行改造，使炉内形成水平温度梯度和垂直温度梯度，大幅度降低能耗和提升产能；工艺步骤少，操作简单，适用于所有的连熔炉。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 原料 能耗 提纯 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅原料低能耗提纯制备方法，其特征是制备方法如下：首先将经还原处理的金属硅粉碎，再用王水、氢氟酸等酸洗，酸洗后送入连熔炉熔融，连熔炉中间通入冷却水管，进行水冷却，采用充氮隔离空气，使炉内温度形成水平温度梯度和垂直温度梯度，从连熔炉出来的硅材料进入区熔炉，使区熔炉内形成区间温度梯度，运用热趋法排除硅碴，即可得到99.9999％纯度的硅。
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