[发明专利]一种核壳结构杂化电极的制备方法有效
申请号: | 200710052394.5 | 申请日: | 2007-06-07 |
公开(公告)号: | CN101090140A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | 赵兴中;吴素娟;韩宏伟;台启东;张京;徐晟 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L51/48;H01L21/28;H01G9/042;H01G9/20;H01M4/00;H01M14/00 |
代理公司: | 武汉天力专利事务所 | 代理人: | 程祥;冯卫平 |
地址: | 43007*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于染料敏化纳米晶太阳能电池的核壳结构杂化电极的制备方法,以TiO2胶体为原料采用粉末涂覆法制备TiO2纳米晶膜。在TiO2纳米晶膜上反应直流磁控溅射沉积MgO,制备TiO2(MgO)核壳结构的杂化电极。本发明的有益效果在于:解决了染料敏化太阳能电池中TiO2/电解质界面电荷复合大的缺点,有利于提高染料敏化太阳能电池的光电转换效率。该方法制备的染料敏化太阳能电池的各项光电参数均有提高,是一种提高太阳能电池光电转换效率的有效方法。此外,该方法生产工艺简单、成本低廉。 | ||
搜索关键词: | 一种 结构 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种核壳结构杂化电极的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)以TiO2胶体为原料采用粉末涂覆法制备TiO2纳米晶膜;2)在TiO2纳米晶膜上反应直流磁控溅射沉积MgO得到核壳结构杂化电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的