[发明专利]一种制备纳米粉末和薄膜材料的装置

摘要

本发明公开了一种制备纳米粉末和薄膜材料的装置，其结构为：坩埚位于真空腔体的底部，衬底装置由电动机，衬底支架和衬底组成，衬底支架位于真空腔体的内腔顶部，电动机与衬底支架连接，衬底安装在衬底支架的下面；粉末收集器的收集口与真空腔体相通，送粉器安装在真空腔体的内壁上，送粉器的出粉口位于坩埚的上方，真空腔体上开有进水口、出水口和保护气体进口；高真空机组与真空腔体相连，硅整流器的正、负极分别与位于真空腔体内的钨极氩弧焊枪和坩埚连接，钨极氩弧焊枪与坩埚的距离为3－20mm之间。该装置既可以制备纳米粉末又可以沉积薄膜材料。制备的粉末纯度高，颗粒均匀；沉积的薄膜均匀，沉积速率较高，该装置的成本较低。

主权项

1.一种制备纳米粉末和沉积薄膜的装置，其特征在于：坩埚(13)位于真空腔体(17)的底部，衬底装置由电动机(1)，衬底支架(2)和衬底(3)组成，衬底支架位于真空腔体(17)的内腔顶部，电动机(1)与衬底支架(2)连接，衬底(3)安装在衬底支架(1)的下面；粉末收集器的收集口与真空腔体(17)相通，送粉器安装在真空腔体(17)的内壁上，送粉器的出粉口位于坩埚(13)的上方，真空腔体(17)上开有进水口(9)、出水口(10)和保护气体进口(11)；高真空机组(12)与真空腔体(17)相连，高频高压发生器(18)串联在硅整流器(16)和钨极氩弧焊枪(15)之间，硅整流器(16)的正、负极分别与位于真空腔体(17)内的钨极氩弧焊枪(15)和坩埚(13)连接，钨极氩弧焊枪(15)与坩埚(13)的距离为3-20mm之间。