[发明专利]原位自生Mg2Si/AM60复合材料的制备方法无效
| 申请号： | 200710053784.4 | 申请日： | 2007-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101195875A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 闫洪;胡勇;陈国香 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | C22C1/02 | 分类号： | C22C1/02;C22C23/00 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 330031江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种原位自生Mg2Si/AM60复合材料的制备方法，其特征是制备方法为：采用机械搅拌，硅(Si)的加入量为0.5％－5％，反应温度780－800℃，反应时间30min，其加热过程是在井式电阻炉中，并在镁合金上覆盖自制的阻燃剂以阻燃，反应之后进行机械搅拌，搅拌时间5－10min。本发明的积极效果是：生产制备的Mg2Si/AM60复合材料，增强相在基体中分布均匀，力学性能优越，而且工艺简单、安全可靠，无三废污染。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 自生 mg sub si am60 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种原位自生Mg2Si/AM60复合材料的制备方法，其特征是制备方法为：采用机械搅拌，硅(Si)的加入量为0.5％-5％，反应温度780-800℃，反应时间30min，其加热过程是在井式电阻炉中，并在镁合金上覆盖自制的阻燃剂以阻燃，反应之后进行机械搅拌，搅拌时间5-10min。
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