[发明专利]新型二氧化钛、制备方法及其应用无效
| 申请号： | 200710054099.3 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101037226A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 张纪伟;李秋叶;王晓冬;张顺利;吴志申;金振声;张治军 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C01G23/047 | 分类号： | C01G23/047 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所 | 代理人： | 张秋红 |
| 地址： | 475001*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型二氧化钛、制备方法及其应用，其具有以下特征：(1)晶型是锐钛矿结构，比表面积为50～70m2/g；(2)晶格中含有稳定的束缚单电子氧空位和Ti3+晶格缺陷；(3)具有可见光吸收和可见光荧光性质；(4)在可见光照射下表现出p型半导体光电化学响应，在紫外光照射下表现为n型半导体光电化学响应，制备方法为：纳米管钛酸在400～700℃下热处理0.5～72小时，冷却即得产品；该新型二氧化钛可作为光电开关材料应用；本发明制备简单、操作方便、成本低，适合于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 氧化 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1、一种新型二氧化钛，其特征在于，(1)、晶型是锐钛矿结构，比表面积为50～70m2/g；(2)、晶格中含有稳定的束缚单电子氧空位和Ti3+晶格缺陷；(3)、具有可见光吸收和可见光荧光性质；(4)、在可见光照射下表现出p型半导体光电化学响应，在紫外光照射下表现为n型半导体光电化学响应。
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