[发明专利]轴向取代酞菁化合物用于制备有机薄膜晶体管的应用

摘要

本发明涉及轴向取代酞菁化合物作为有机薄膜晶体管的应用，其作为有机薄膜晶体管的源/漏电极间的半导体层。所述的轴向取代酞菁化合物的中心配体为三价以上的原子，轴向配体为氯、氟、氧可与轴向取代酞菁化合物的中心配体连接。所述的轴向取代酞菁化合物在有机衬底上采用气相沉积方法容易制备高品质的结晶薄膜。这些结晶薄膜得载流子迁移率高，能级丰富，且性能稳定，容易集成加工。该有机薄膜晶体管的场效应迁移率在0.01cm²/Vs以上，开关比大于10⁵。

主权项

1、轴向取代酞菁化合物用于制备有机薄膜晶体管的应用，其特征在于，轴向取代酞菁化合物用于制备有机薄膜晶体管的源/漏电极间的半导体层(7)；所述的轴向取代酞菁化合物的中心配体为三价以上的原子，轴向配体为氯、氟、氧可与轴向取代酞菁化合物的中心配体连接；所述的轴向取代酞菁化合物的分子结构式如下所示：式中，M代表中心取代配体，L、L’代表轴向配体。