[发明专利]扩散抛光片单侧主扩散制作方法

摘要

一种扩散抛光片单侧主扩散制作方法，属于半导体器件制造工艺技术领域。现有方法不管是预扩散还是主扩散，扩散过程始终在硅单晶片两侧同时同样地进行，硅单晶片的结构呈N⁺－N^－－N⁺形态，而制造半导体器件所需的扩散抛光片其结构应当为N⁺－N^－形态，需要再采用减薄抛光工艺将一侧的N⁺层去掉，造成硅单晶材料的浪费。本发明采取在硅单晶片一侧生成起阻止扩散作用的掩蔽层，或者在主扩散之前去掉硅单晶片一侧的预扩散层的方法，使得主扩散只在硅单晶片的一侧进行，这样的话，一开始即可选用较薄的硅单晶片，如300～400μm，实现了节省硅单晶材料的发明目的。本发明可应用于半导体器件制造行业。

主权项

1、一种扩散抛光片单侧主扩散制作方法，采用二步扩散法在片状半导体单晶材料中掺杂，获得制造半导体器件的中间产品扩散抛光片，其特征在于，A、在预扩散之前，在片状半导体单晶材料的一侧生成预扩散掩蔽层(1)，预扩散后，只在另一侧形成预扩散层，或者先预扩散，此时在片状半导体单晶材料两侧形成预扩散层，然后去掉一侧的预扩散层，保留另一侧的预扩散层；B、进行主扩散，使另一侧的预扩散层扩散为高浓度深扩散层，直接获得扩散抛光片。