[发明专利]金属有序结构表面增强基底的构筑方法无效
申请号: | 200710055453.4 | 申请日: | 2007-03-27 |
公开(公告)号: | CN101024483A | 公开(公告)日: | 2007-08-29 |
发明(设计)人: | 吕男;杨秉杰;黄春玉;迟力峰 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;G01N21/65 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 张景林;刘喜生 |
地址: | 130023吉林省*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于有序微结构技术,涉及在基底上构筑表面有序结构、并以此有序结构基底作为模板构筑金属有序结构,该金属有序结构在拉曼检测过程中有明显增强探针分子信号的应用。步骤是选取无机基底或聚合物基底,对基底表面进行处理,使其能够导电;通过自组装单层膜、气相沉积、LB膜、纳米压印、电子束刻蚀或光刻蚀的方法,在导电的基底的表面构筑出不同官能团或高分子阻挡层的有序纳微米结构;在电解池中通过电化学沉积的方法,将金属纳米粒子有序地组装到上述有序结构中,从而在基底上得到金属纳米有序阵列。这种方法可用于大多数金属有序结构的构筑,金属有序结构在制备高灵敏度金属传感器和检测器、制备拉曼基底以及在拉曼检测中具有广泛的应用。 | ||
搜索关键词: | 金属 有序 结构 表面 增强 基底 构筑 方法 | ||
【主权项】:
1、采用高分子阻挡层构筑金属有序结构表面增强拉曼基底的方法,包括如下步骤:a、选取无机基底或聚合物基底,清洁处理后对其表面进行导电处理得到导电基底;b、通过光刻、电子束刻蚀或纳米压印方法,在导电基底的表面构筑出高分子阻挡层与导电基底相间分布的有序纳/微米结构;c、在电解池中用上述步骤制备的导电基底做工作电极,以另一导电基底做辅助电极,在恒电压模式或恒电流模式下进行电化学沉积,从而在工作电极上实现高分子阻挡层与金属纳米粒子相间分布的有序金属纳米粒子结构阵列;d、将上述步骤得到的工作电极浸入到有机溶剂中进行洗脱以除去高分子阻挡层,重复3~4次后,利用高纯氮吹干,最终得到导电基底与金属纳米粒子相间排列的金属有序结构表面增强拉曼基底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学,未经吉林大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710055453.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。