[发明专利]一种利用氧、氯精炼工艺制取高纯硅的方法及装置无效
| 申请号： | 200710055512.8 | 申请日： | 2007-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101066762A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 宋德忠 | 申请（专利权）人： | 宋德忠 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 长春成铭专利商标代理有限公司 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 136200吉林省*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用氧、氯精炼工艺制取高纯硅的方法及装置，其工艺方法：将出炉工业硅，立即倒入内衬碳素坩锅内，锅内底部用氧气和空气从细铜管中吹向硅溶液，硅溶液的上部通入氯气与空气的混合气体，精炼结束后，保持底部空气吹入，同时，通过循环水进行冷却令硅在精炼锅内凝结成锭，将硅锭连同碳素坩锅一同倒出；实现该工艺之装置：所用装置采用于坩锅内衬覆碳素材料、外壁采用双夹层铁壁，坩锅底部留有通氧、通空气管孔，上盖上留有通入氯气和空气混合气体之管孔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 精炼 工艺 制取 高纯 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种利用氧、氯精炼工艺制取高纯硅的方法，其特征在于：将出炉工业硅，立即倒入内衬炭素坩锅内，锅内底部用氧气和空气从细铜管中吹向硅溶液，硅溶液的上部通入氯气与空气的混合气体，氧气压力为0.4～0.5Mpa，消耗0.05～0.07T/T.Si(36～42m3)，氯气压力为0.4～0.5Mpa，消耗0.04～0.06T/T.Si(35～40m3)，压缩空气精炼时压力为0.1～0.2Mpa，保压时压力为0.3～0.5Mpa，保压时间为10～20min，通入氧气与氯气的时间为30～50分钟，内衬炭素坩锅外壁采用双夹层铁壁，精炼结束后，撤去氯气通气棒，保持底部空气吹入，同时，通过循环水进行冷却令硅在精炼锅内凝结，历时4～5小时后，彻底冷却成锭，将硅锭连同炭素坩锅一同倒出，在铺有钢板的洁净地面上将坩锅敲碎，坩锅内壁与硅锭并不粘连，将硅块底部切除，剩余部分即可包装入库。
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