[发明专利]纳米结构化透明导电层及其制备方法无效
| 申请号： | 200710056412.7 | 申请日： | 2007-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101000811A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘津平;刘文韬 | 申请（专利权）人： | 刘津平 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;B82B1/00;B82B3/00;C09D5/24;B01J19/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300222天津市和平*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米结构化透明导电层及其制备方法，该导电层的原料包括氧化锌、第IIIA族元素和/或其化合物，溶剂和/或添加剂，其制备方法包括纳米结构化透明导电层原料的混合、反应、涂覆、干燥和/或熔炼。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 透明 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、纳米结构化透明导电层，其特征在于：该导电层的原料包括a)10-65％(w/w)的溶质，b)90-35％(w/w)的溶剂和/或e)0-30％(w/w)的添加剂。
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