[发明专利]新型光激发场寻址半导体传感器

摘要

新型光激发场寻址半导体传感器，属于半导体生化传感器中器件设计领域。本发明利用半导体器件物理及其工艺，将敏感膜与电极分立于器件上下两面，并具有寻址功能。其中在p⁺－Si衬底的下表面制备有敏感膜，其四周为局部场氧化层，其上为n^－－Si外延层；外延层的上表面，分别形成了新的局部场氧化层、磷掺杂；二氧化硅层和氮化硅层在外延层上，作为绝缘栅层；氮化硅层上表面为Al栅极和多晶硅栅极，光源照射在透光性的多晶硅栅极上。本发明采用光激发、场寻址的方法，可减少电荷注入过程中产生的噪声，而场寻址方法简单、成本低、且寻址精度较高。采用单一光源激发，保证了在相同的控制信号作用下，每一个敏感单元所受到的光激发是相同的。

主权项

1.一种新型光激发场寻址半导体传感器，依次包括p型Si衬底、衬底上的n--Si外延层、二氧化硅栅氧层、Al栅极，在与二氧化硅栅氧层接触面附近的n--Si外延层上设有两处磷掺杂，该磷掺杂通过欧姆接触与穿过二氧化硅栅氧层引线孔的电极引线连接，其特征是在与n--Si外延层接触面附近的p型Si衬底的上表面附近设有掺硼的p+-Si层，在p型Si衬底上表面外周和n-Si外延层上部外周分别设有局部场氧化层，在二氧化硅栅氧层中部两个Al栅极之间设有多晶硅栅极，在p型Si衬底下表面的中部与多晶硅栅极对应位置直至掺硼的p+-Si层为腐蚀区，在腐蚀区底部设有敏感膜。