[发明专利]一种超高介、低损耗的高频介质陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种超高介、低损耗的高频介质陶瓷及其制备方法，采用28％－53％的Nb₂O₅和5％～31％Ta₂O₅为初始原料，采用预先合成先驱体的方法制备出(Nb_1－xTa_x)₂O₅，其中X＝0～0.4，再在先驱体中加入39％～46％的Ag₂O，高温煅烧反应生成Ag(Nb_1－xTa_x)O₃，X＝0～0.4，再加入4.2％～7.0％的添加剂Bi₂O₃制备介质陶瓷。本发明的陶瓷材料的烧结温度较低(1060～1130℃)，并且具有极高的介电常数(ε＞700)、较低的介电损耗(tanδ＜10×10^－4)和较高的电阻率(＞10¹²Ω·cm)，制备工艺简单，过程无污染。

主权项

1.一种超高介、低损耗的高频介质陶瓷，其特征在于，由基质Ag(Nb1-xTax)O3和添加剂Bi2O3 组成，组分含量为：以Ag(Nb1-xTax)O3的质量为100％，添加剂Bi2O3的质量为Ag(Nb1-xTax)O3 质量的4.2％～7.0％，其中0＜X≤0.4。