[发明专利]一种重掺砷衬底的硅外延方法有效
| 申请号： | 200710061685.0 | 申请日： | 2007-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101030535A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 陈秉克;薛宏伟;袁肇耿;赵丽霞;田忠元 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/30;H01L21/302 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 张明月 |
| 地址： | 050200河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造硅外延片的方法，即一种重掺砷衬底的硅外延方法。它是在常规“二步外延法”重掺砷衬底硅外延工艺的基础上，在“第二次用大流量H2冲洗”时，向冲洗的H2中加入HCl，以起到抑制自掺杂的作用。用本发明制得的外延片的电阻率的平坦度和过渡区的陡峭度都非常理想。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 重掺砷 衬底 外延 方法 | ||
【主权项】：
1、一种重掺砷衬底的硅外延方法，它包括以下步骤，A、将硅衬底装炉、升温到1000～1200℃后用氯化氢抛光，B、向炉内通入大流量氢气，C、用化学气相沉积法生长一层本征外延层，D、再次通入大流量氢气冲洗，E、进行第二阶段的生长，直到外延层的厚度达到要求，其特征在于：在步骤D的氢气中加入氯化氢。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
