[发明专利]硅锗材料的一种生长方法无效
| 申请号： | 200710061761.8 | 申请日： | 2007-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101106079A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 赵丽霞;袁肇耿;陈秉克 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B25/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 张明月 |
| 地址： | 050200河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了硅锗材料的一种生长方法。本发明所用设备为以硅烷(SiH4)为气源的RPCVD生长SiGe材料的设备，并以SiH2Cl2代替硅烷做气源，利用减压化学气相沉积法成功的生长出锗硅异质外延材料。其中生长所用的气氛包括H2、N2、SiH2Cl2、GeH4、PH3、B2H6，生长温度为700～900℃，工作压力为60－100Torr。本发明的方法在生产过程中所产生的废气由于不含有硅烷，废气直接通入水中用水解方法处理即可。因此用本发明的方法时，生产设备的废气处理器的构造就可以变得非常简单，处理废气的成本相对降低。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 一种 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.硅锗材料的一种生长方法，它是用减压化学气相沉积生长法，其中生长所用的气氛包括H2、N2、GeH4、PH3、B2H6，生长温度为500～1200℃，工作压力为10-100Torr；其特征在于：生长硅组分的气氛是用SiH2Cl2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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