[发明专利]在SiC纤维表面实现双组分涂层的方法及装置无效

专利信息
申请号: 200710062005.7 申请日: 2007-05-28
公开(公告)号: CN101121577A 公开(公告)日: 2008-02-13
发明(设计)人: 魏永芬 申请(专利权)人: 魏永芬
主分类号: C03C25/22 分类号: C03C25/22;C22C47/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 050035河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明涉及在SiC纤维表面实现双组分涂层的方法及装置,应用于对SiC纤维的深加工领域。该方法是借助射频聚焦式加热装置对运动中的钨丝进行加热,并利用了气相沉积法生成SiC纤维的工艺过程:(1)将石英管热反应器改造为由三个气密封隔离区,(2)由射频电场加热的钨丝依次通过三个气相沉积区,(3)I区内实现SiC沉积在钨丝表面形成SiC纤维层,(4)II区内所设计内涂层组分沉积在SiC纤维层的表面,(5)III区为所设计的外涂层组分沉积在SiC纤维层内涂层表层。配套的专用装置主要是对射频聚焦式加热装置中石英管热反应器的改进,具体是石英管反应器中设置有双向密封的氩气密封堵,在该堵处靠前位置是反应后气体排除口,该堵靠后位置设反应的混合气体加入口及增设反应后气体排除口。
搜索关键词: sic 纤维 表面 实现 组分 涂层 方法 装置
【主权项】:
1.在SiC纤维表面实现双组分涂层的方法,该方法是借助射频聚焦式加热装置对运动中的钨丝(12)进行加热,并利用了气相沉积法生成SiC纤维的工艺过程,其特征在于:(1)将射频聚焦式加热装置中的石英管热反应器结构进行改造,使得其加热反应区具有三个被氩气气密堵中所充入的氩气分别密封隔离的独立气相沉积区,(2)借助于送、收丝机构(10,11)的牵引和聚焦射频电场加热的钨丝(12)依次通过三个气相沉积区,(3)I区为SiC纤维层形成区,通过向石英管反应器I区内沿钨丝运动的方向导入氯硅烷加高纯氢气的混合气形成一个氯硅烷加高纯氢气的反应气氛,借助氯硅烷裂解并生成氯化氢的同时实现SiC沉积在钨丝(12)表面形成SiC纤维层,(4)II区为内涂层区,被持续加热的钨芯SiC纤维进入石英管反应器II区,沿着复合纤维运动的前进方向导入含有内涂层组分的气态原料与气体催化剂或还原剂的混合气,借助裂解或还原反应生成所设计内的涂层组分沉积在SiC纤维层的表面,(5)III区为外涂层区,被持续加热的带有内涂层的钨芯SiC纤维进入石英管反应器III区,沿着复合纤维前进的逆方向导入含有外涂层组分的气态原料与气体催化剂或还原剂的混合气借助裂解或还原反应生成所设计的外涂层组分沉积在SiC纤维层内涂层表层。
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