[发明专利]正交结构BC3N晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200710062280.9 | 申请日： | 2007-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101144188A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 田永君;于栋利;何巨龙;柳忠元;李东旭;王鹏 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;B01J3/06;C01B21/00 |
| 代理公司： | 秦皇岛市维信专利事务所 | 代理人： | 鄂长林 |
| 地址： | 066004河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功能材料及其制备方法，特别是涉及一种正交结构BC3N晶体及其制备方法。其特征是：正交结构BC3N晶体的化学成分为：B 18～22at％，C 57～63at％，N 18～20at％。制备方法是：a.制备粉末状B－C－N前驱物；b.将粉末状B－C－N前驱物压成圆片样品(6)，装入小石墨坩埚中(5)，并以六方氮化硼片(7)填补上下端面空隙。然后依次放入叶蜡石套(3)和大石墨坩埚(2)中；最后将上述组装好的大石墨坩埚(2)放入叶蜡石正方体块中，c.将组装块在1400～1600℃高温和5～6GPa高压之下处理，保温10～60分钟后冷却至室温；d.将获得的产物经化学处理后，除去石墨和六方氮化硼，即得到黑色BC3N晶体颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 正交 结构 bc sub 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种正交结构BC3N晶体，其特征是：其化学成分为：B 18～22at％，C 57～63at％，N 18～20at％，B∶C∶N≈1∶3∶1；该晶体具有正交结构，晶格参数为a＝0.661～0.664nm，b＝0.496～0.498nm，c＝0.851～0.868nm；外观为黑色颗粒，300K下其电阻率为2.0～3.0×10-3Ω·m，约为石墨的200倍；正交结构的BC3N晶体具有超导性，超导温度在8～20K。
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