[发明专利]一种多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法有效
| 申请号： | 200710062733.8 | 申请日： | 2007-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101224458A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 童翔 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/12;B08B7/04;B08B1/00;C11D7/50;F26B5/00;F26B3/02;H01L21/00;H01L21/3065;C11D7/04 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑立明;任红 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明所述的多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法，在清洗过程中采用有机溶剂、碱性溶液、酸性溶液和超纯水对零部件进行清洗，可以有效的去除附着于多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的聚合物，且步骤简单方便，清洗效果理想，而且不会对多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件造成损伤。应用此方法对半导体工艺一段时间后的多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件清洗后，多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的污染物完全被除去，且多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面没有遭到损伤，清洗后的多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件完全满足正常工艺的要求，清洗方法完全达到良好的污染物去除效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 刻蚀 腔室中 陶瓷材料 零件 表面 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法，其特征在于，包括以下过程：A、用有机溶剂清洗零件表面；B、用碱性溶液与酸性溶液不分顺序依次清洗零件表面；C、将零件放入超声槽中，清洗设定的超声波清洗时间，进行超声波清洗。
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