[发明专利]一种纳米间隙电极的制备方法无效

专利信息
申请号: 200710062832.6 申请日: 2007-01-18
公开(公告)号: CN101226879A 公开(公告)日: 2008-07-23
发明(设计)人: 刘云圻;魏大程;曹灵超;李祥龙;王钰;张洪亮;石大川;于贵 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周长兴
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种纳米间隙电极制备方法,步骤如下:在不受电子束破坏的纳米材料上制备具有较大间隙的电极对;在电极对的表面吸附电子束诱导沉积的原料分子;将电子束聚焦在电极对的间隙区域;当电极间隙达到所需的宽度时,停止电子束照射,制备得到纳米间隙电极。本发明与传统的方法相比,可以在制备过程中原位观察电极间隙,从而可以精确控制纳米间隙电极的间隙。同时操作方便,简易可行,成功率高,有利于提高纳米间隙电极的制备效率,制备的纳米间隙电极的间隙范围很大,可以为2纳米至100纳米,这对于纳米以及分子器件的制备和应用有非常重要的意义。
搜索关键词: 一种 纳米 间隙 电极 制备 方法
【主权项】:
1.一种纳米间隙电极制备方法,其具体步骤如下:a)在不受电子束破坏的纳米材料上制备具有较大间隙的电极对;b)在电极对的表面吸附电子束诱导沉积的原料分子;c)将电子束聚焦在电极对的间隙区域;d)当电极间隙达到所需的宽度时,停止电子束照射,制备得到纳米间隙电极。
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