[发明专利]电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底结构的发光二极管无效
| 申请号： | 200710063101.3 | 申请日： | 2007-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101009353A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 沈光地;陈依新;李建军;蒋文静;韩金茹 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底结构的发光二极管，属于半导体光电子技术领域。包括上电极(100)、由导电增透出光层(130)、电流阻挡层(110)和电流扩展层(201)构成的电流输运增透窗口层(111)、上限制层(300)、有源区(500)、下限制层(400)、图形化的电流扩展层(202)、导电高反光层(140)、导电键合层(150)和转移衬底(160)或上电流扩展层(200)、导电键合层(150)、导电高反光层(140)和图形化的转移衬底(161)构成的支架、下电极(800)。本发明增强了电流扩展和光输出，能够大大地提高出光效率，实现高效率、高亮度LED发光，热性能及可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 输运 窗口 反射 图形 转移 衬底 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底结构的发光二极管，从上往下包括上电极(100)、上限制层(300)、有源区(500)、下限制层(400)和下电极(800)，其特征在于：还包括设置在上电极(100)和上限制层(300)之间的电流输运增透窗口层(111)，电流输运增透窗口层(111)由导电增透出光层(130)、电流阻挡层(110)和电流扩展层(201)共同构成；还包括设置在下限制层(400)和下电极(800)之间的支架(112)，支架(112)从上往下的组成为：图形化的电流扩展层(202)、导电高反光层(140)、导电键合层(150)和转移衬底(160)，或为：上电流扩展层(200)、导电键合层(150)、导电高反光层(140)和图形化的转移衬底(161)。
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