[发明专利]一种TFT阵列结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种TFT矩阵结构，包括：一基板；一栅线和与其一体的栅电极，形成在基板上，栅线和栅电极的上方覆盖有栅绝缘层；一有源层和欧姆接触层形成在栅绝缘层上方；一数据线及与其一体的源金属电极，形成在欧姆接触层的上方；一漏金属电极，形成在欧姆接触层的上方；一钝化层，形成在数据线、源金属电极及漏金属电极的上方；一过孔，形成在漏金属电极的上方；一像素电极，形成在钝化层上，并通过过孔与漏金属电极连接；其中，数据线及与其一体的源金属电极、及漏金属电极的边角呈梯形边角。本发明同时公开了该TFT矩阵结构的制造方法。本发明能够彻底地消除源漏金属层的倒梯形截面，有效地减少TFT阵列中像素电极断线的发生。

主权项

1、一种TFT矩阵结构，其特征在于，包括：一基板；一栅线和与其一体的栅电极，形成在所述基板上，栅线和栅电极的上方覆盖有栅绝缘层；一有源层和欧姆接触层形成在栅绝缘层上方；一数据线及与其一体的源金属电极，形成在所述欧姆接触层的上方；一漏金属电极，形成在所述欧姆接触层的上方；一钝化层，形成在所述数据线、源金属电极及漏金属电极的上方；一过孔，形成在漏金属电极的上方；一像素电极，形成在所述钝化层上，并通过过孔与所述漏金属电极连接；其中，数据线及与其一体的源金属电极、及漏金属电极的边角呈梯形边角。