[发明专利]一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 200710064857.X | 申请日： | 2007-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101276836A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王琴;李维龙;贾锐;刘明;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法。本发明的主要特征是在SOI衬底上制备量子线，利用金属栅对量子线的势垒受限形成隧道结和库仑岛，从而降低了微纳加工的难度，实现隧道结有效尺寸可调的单电子晶体管。其主要工艺步骤如下：(a)离子注入及快速退火；(b)电子束光刻，形成量子线图形；(c)干法刻蚀，将图形转移至SOI的顶层硅上；(d)光刻；(e)蒸发金属，剥离，合金；(f)二次电子束套刻，形成栅图形；(g)蒸发栅金属；(h)剥离，形成金属栅；采用本发明方法制备的基于SOI量子线的单电子晶体管具有工艺难度低，可实行性高，易于大规模集成的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 量子 电子 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种基于SOI量子线的单电子晶体管，包括：基于SOI衬底量子线；包裹在量子线上的两个金属栅；以及一个金属侧栅三部分；该单电子器件的隧道结是由包裹在SOI量子线上的金属栅和SOI量子线接触处的势垒受限形成，同时两个金属栅之间的SOI量子线部分构成库仑岛；通过调节侧栅的电压来调节库仑岛的静电势，使得电子通过库仑岛。
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