[发明专利]非接触式微电子机械系统红外温度报警器的制备方法无效

专利信息
申请号: 200710064868.8 申请日: 2007-03-28
公开(公告)号: CN101274739A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 欧毅;由春娟;罗晓光;陈大鹏;李超波;焦斌斌;石莎莉;董立军;韩敬东;刘辉 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;G01J5/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100029*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种制备非接触式MEMS红外温度报警器的方法,包括:在第一片硅衬底的正面和背面生长氮化硅薄膜;涂光学光刻胶,对光学光刻胶进行光刻显影,形成悬臂梁图形;蒸发铬薄膜,剥离形成铬掩蔽图形;将氮化硅薄膜刻透,得到悬臂梁和电极通孔图形;涂光学光刻胶,正面套刻第二版电极通孔图形;蒸发铬/金薄膜,超声剥离,得到被填充的电极通孔;在背面涂厚光刻胶,光刻第三版腐蚀窗口图形;将背面的氮化硅薄膜刻透,得到背面腐蚀窗口图形;将第一片硅衬底放入湿法腐蚀液中进行腐蚀,得到悬臂梁结构;在第二片硅衬底上蒸发铬/金薄膜;将第一片和第二片硅衬底对准键和,然后划片并焊接引线。利用本发明,降低了制备成本,有利于广泛推广和应用。
搜索关键词: 接触 式微 电子机械 系统 红外 温度 报警器 制备 方法
【主权项】:
1. 一种制备非接触式微电子机械系统红外温度报警器的方法,其特征在于,该方法包括:步骤101:在第一片硅衬底的正面和背面生长氮化硅薄膜;步骤102:在所述氮化硅薄膜上涂光学光刻胶,对光学光刻胶进行光刻显影,形成悬臂梁图形;步骤103:在所述氮化硅薄膜和形成的悬臂梁图形上蒸发铬薄膜,剥离形成铬掩蔽图形;步骤104:在所述铬掩蔽图形掩蔽下将氮化硅薄膜刻透,得到悬臂梁和电极通孔图形;步骤105:涂光学光刻胶,正面套刻第二版电极通孔图形;步骤106:蒸发铬/金薄膜,超声剥离,得到被填充的电极通孔;步骤107:在所述第一片硅衬底背面涂厚光刻胶,光刻第三版腐蚀窗口图形;步骤108:在所述厚光刻胶掩蔽下将背面的氮化硅薄膜刻透,得到背面腐蚀窗口图形;步骤109:将所述第一片硅衬底放入湿法腐蚀液中进行腐蚀,去除悬臂梁下的多余部分的硅衬底,得到悬臂梁结构;步骤110:在第二片硅衬底上蒸发铬/金薄膜作为下电极图形;步骤111:将所述第一片和第二片硅衬底对准键和,然后划片并焊接引线。
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