[发明专利]基于宏观长度银纳米线异质结构的光电流传感器

摘要

基于宏观长度银纳米线异质结构的光电流传感器，涉及一种光电子学器件及其应用。它是将具有宏观长度的Ag纳米线簇的两端分别与两金属Ni电极相连接构成异质结构。然后，将该异质结构真空封装于石英套管内，并在套管外留出两电极引线，构成光电流传感器。工作时，用导线把两电极和电流信号检测设备相连接，当有光束照射在Ag/Ni异质结结区时，电路中光致电流会发生显著变化，该光致电流的强度依赖于入射光的光强，即当光强增加时，光致电流强度也会增加，反之，光强减小时，光致电流强度也会减小。本发明不仅结构简单，制作方便，而且其光电响应速度快。

主权项

1.一种基于宏观长度银纳米线异质结构的光电流传感器，其特征在于：该光电流传感器含有一段宏观长度的银纳米线簇(2)，该宏观长度的银纳米线簇的两端分别与两个金属镍电极(3)相连接，在连接处形成Ag/Ni金属异质结，所述宏观长度的银纳米线簇和两个Ag/Ni金属异质结一起被真空封装在石英套管(1)内，在石英套管外部留出两金属电极的引线。