[发明专利]基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法无效

专利信息
申请号: 200710065183.5 申请日: 2007-04-05
公开(公告)号: CN101281862A 公开(公告)日: 2008-10-08
发明(设计)人: 赵永梅;孙国胜;刘兴昉;李家业;王雷;赵万顺;李晋闽;曾一平 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L21/04 分类号: H01L21/04;H01L21/205;H01L21/365
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:将硅衬底进行氢气刻蚀处理;步骤2:通入三甲基铝,进行硅衬底表面铺铝;步骤3:不关断三甲基铝源,通入氨气,进行氮化铝缓冲层生长;步骤4:缓冲层生长结束后,关闭氨气和三甲基铝,在氢气环境中降温至室温,关闭氢气,对生长系统抽真空;步骤5:在氢气环境下升温,通入硅烷和乙烯,进行碳化硅层外延生长,完成异质外延生长。
搜索关键词: 基于 氮化 缓冲 碳化硅 外延 生长 方法
【主权项】:
1. 一种基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:将硅衬底进行氢气刻蚀处理;步骤2:通入三甲基铝,进行硅衬底表面铺铝;步骤3:不关断三甲基铝源,通入氨气,进行氮化铝缓冲层生长;步骤4:缓冲层生长结束后,关闭氨气和三甲基铝,在氢气环境中降温至室温,关闭氢气,对生长系统抽真空;步骤5:在氢气环境下升温,通入硅烷和乙烯,进行碳化硅层外延生长,完成异质外延生长。
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