[发明专利]一种制备掺钴氧化锌纳米阵列的方法

摘要

一种制备掺钴氧化锌纳米阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。工艺步骤为：首先将硅片用金刚石刀裁剪成片，放到培养皿中；取纯锌粉和氯化钴粉末以1∶1至1∶2的重量比混合；在管式炉中反应，得到硅片上沉积上一层浅灰色的产物；用扫描电子显微镜观察硅片上沉积的为纳米阵列。本发明的优点在于：制备方法简单，成本低，可控可靠性高。制备温度较低，整个制备过程不需要任何催化剂作用。优点在于，所做出的一维掺钴氧化锌纳米阵列，表面平滑，生长均匀，可作为场发射性能应用及低温磁学器件应用的理想材料。

主权项

1、一种制备掺钴氧化锌纳米阵列的方法，其特征在于，工艺步骤为：a、首先将硅片用金刚石刀裁剪成片，放到培养皿中，在培养中倒入酒精，以完全浸没硅片；浸泡10-30分钟后将硅片拿出，在空气中风干；b、取纯锌粉和六水氯化钴粉末，以1∶1～1∶2的重量比混合；混合粉末在研钵中研磨，达到均匀混合，作为原料备用；c、将管式炉，升温到780-810℃，并在整个操作中持续保持这个温度；当管式炉温度达到780-810℃后，在管式炉中石英管的一端接入氩气和氧气混合气体；氩气的流量控制在180-220sccm范围内，氧气流量为氩气的3-5％；d、在瓷舟的中部位置放入步骤b中准备好的原料，平铺在瓷舟的底部，然后，将硅片的正面倒放在原料的正上方；e、通入混合气体，在确保管式炉达到780-810℃，管内通入混合气体10-20分钟后，从石英管的另一端口，把载有原料的瓷舟放入石英管的中心加热区，进行反应；30-40分钟后取出瓷舟，得到硅片上沉积着一层浅灰色产物；f、用扫描电子显微镜观察硅片上沉积的为纳米阵列。