[发明专利]GaN基功率型LED的P、N双透明接触电极及制备方法无效
| 申请号： | 200710065320.5 | 申请日： | 2007-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101286540A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王立彬;王良臣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种GaN基功率型LED的P、N双透明接触电极，包括：一蓝宝石衬底；一N－GaN层制作在蓝宝石衬底上，该N－GaN层上面的一侧形成有一台阶；一有源层制作在N－GaN层上的最上面；一P－GaN层制作在有源层上；一Ru/Ni层制作在P－GaN层的中间部位；两ITO层分别制作在Ru/Ni层及N－GaN层上面的一侧的台阶上，该Ru/Ni层与其上的ITO层为P电极，该N－GaN层上的ITO层为N电极；两压焊点Cr/Ag/Au层分别制作在两ITO层上面的部分区域；一SiO2钝化层制作在P－GaN层上面暴露的部分，及P－GaN层、有源层的侧面和N－GaN层一侧的台阶部分的表面。 | ||
| 搜索关键词： | gan 功率 led 透明 接触 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种GaN基功率型LED的P、N双透明接触电极，其特征在于，包括：一蓝宝石衬底；一N-GaN层，该N-GaN层制作在蓝宝石衬底上，该N-GaN层上面的一侧形成有一台阶；一有源层，该有源层制作在N-GaN层上的最上面；一P-GaN层，该P-GaN层制作在有源层上；一Ru/Ni层，该Ru/Ni层制作在P-GaN层的中间部位；两ITO层，该两ITO层分别制作在Ru/Ni层及N-GaN层上面的一侧的台阶上，该Ru/Ni层与其上的ITO层为P电极，该N-GaN层上的ITO层为N电极；两压焊点Cr/Ag/Au层，该两压焊点Cr/Ag/Au层分别制作在两ITO层上面的部分区域；一SiO2钝化层，该SiO2钝化层制作在P-GaN层上面暴露的部分，及P-GaN层、有源层的侧面和N-GaN层一侧的台阶部分的表面。
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