[发明专利]一种半导体激光吸收光谱气体分析方法有效
| 申请号： | 200710067106.3 | 申请日： | 2007-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101008612A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王健;顾海涛;刘立鹏 | 申请（专利权）人： | 王健 |
| 主分类号： | G01N21/39 | 分类号： | G01N21/39 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310052浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光吸收光谱气体分析方法，所述方法包括以下步骤：a.确定半导体激光器的工作电流范围和工作温度范围；b.把所述半导体激光器的工作温度范围划分为至少二个工作温度区间，使任一工作温度区间对应被测气体的至少一条吸收谱线；c.测得所述半导体激光器的工作温度Twork，确定与所述工作温度Twork所在的由步骤b确定的工作温度区间对应的吸收谱线；d.根据半导体激光器的工作温度Twork和步骤c确定的吸收谱线的中心频率，确定并调整半导体激光器的工作电流；e.半导体激光器发出的光穿过被测气体并被传感器接收；对接收到的光信号进行吸收光谱分析，进而得到被测气体的被测参数并显示。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 激光 吸收光谱 气体 分析 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光吸收光谱气体分析方法，所述方法包括以下步骤：a.确定半导体激光器的工作电流范围和工作温度范围；b.把所述半导体激光器的工作温度范围划分为至少二个工作温度区间，使任一工作温度区间对应被测气体的至少一条吸收谱线；c.测得所述半导体激光器的工作温度Twork，确定与所述工作温度Twork所在的由步骤b确定的工作温度区间对应的吸收谱线；d.根据半导体激光器的工作温度Twork和步骤c确定的吸收谱线的中心频率，确定并调整半导体激光器的工作电流；e.半导体激光器发出的光穿过被测气体并被传感器接收；对接收到的光信号进行吸收光谱分析，进而得到被测气体的被测参数并显示。
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