[发明专利]一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200710067534.6 | 申请日： | 2007-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101070617A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 杜丕一;陈敬峰;宋晨路;翁文剑;韩高荣;汪建勋;赵高凌;沈鸽;徐刚;张溪文 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B23/08;C30B25/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法，首先在涂覆在玻璃基板上的ITO底电极上拉制铽掺杂PT取向诱导层；再在铽掺杂PT取向诱导层上沉积PST薄膜；铽掺杂PT取向诱导层具有(100)择优取向，PST薄膜同样具有(100)择优取向。本发明通过在无规取向基板上制备PT取向诱导层，诱导制备出高度择优取向的PST薄膜，避免常规取向薄膜制备对于昂贵的单晶基板的依赖性；同时本发明得到的PST薄膜能保持相对较高的可调性，为制备高性能的取向PST薄膜提供了新方法；PT取向诱导层既能诱导PST薄膜的取向，又能促进PST的晶化；整套工艺简单，制备温度低，周期短，节约了能源和成本，具有良好的市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 生长 介电常数 可调 钛酸锶铅 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法，其特征在于：首先在涂覆在玻璃基板(1)上的ITO底电极(2)上拉制铽掺杂钛酸铅取向诱导层(3)；再在铽掺杂钛酸铅取向诱导层(3)上沉积钛酸锶铅薄膜(4)；铽掺杂钛酸铅取向诱导层具有(100)择优取向，钛酸锶铅薄膜同样具有(100)择优取向。
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