[发明专利]三极管引线框架的制造方法有效
| 申请号： | 200710067640.4 | 申请日： | 2007-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101030542A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 曹光伟;段华平 | 申请（专利权）人： | 宁波康强电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所 | 代理人： | 代忠炯 |
| 地址： | 315105浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种三极管引线框架的制造方法，包括：a.从同一工件上冲压出由分切点(3、4)或/和分切条相互并列对称相接的四排单排引线框架卷带(5、6、7、8)；b.对所述引线框架卷带(5、6、7、8)的头部(9)及设于引线框架卷带头部(9)外沿的分切点(3)或/和分切条所形成的区域(B)进行电镀；c.切除分切点(3、4)或/和分切条，得到四排分开的单排引线框架卷带(5、6、7、8)；d.将所述单排引线框架卷带(5、6、7、8)切断，获得多个引线框架片，每个引线框架片中包括多个引线框架。该制造方法生产效率高、质量稳定且节省生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 三极管 引线 框架 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种三极管引线框架的制造方法，包括：a、从同一工件上冲压出相互连接的四排单排引线框架卷带(5、6、7、8)，所述单排引线框架卷带(5、6、7、8)相互之间通过设于引线框架卷带头部(9)外沿的分切点(3)或/和分切条(10、11)和设于引线框架卷带边带(2)外沿的分切点(4)或分切条并列相接；b、对所述引线框架卷带(5、6、7、8)的头部(9)及设于引线框架卷带头部(9)外沿的分切点(3)或/和分切条(10、11)所形成的区域(B)进行电镀；c、切除分切点(3、4)或/和分切条(10、11)，得到四排分开的单排引线框架卷带(5、6、7、8)；d、将所述单排引线框架卷带(5、6、7、8)切断，获得多个引线框架片，每个引线框架片中包括多个引线框架。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波康强电子股份有限公司，未经宁波康强电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710067640.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：座便器用固体清洗剂的制备工艺
- 下一篇：一种储存装置及其操作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
