[发明专利]一种铟铝共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法

摘要

一种铟铝共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料，其特征在于该薄膜材料的分子通式为Al_xIn_ySn_1－x－yO₂，其中X的取值范围为0.07～0.12，y的取值范围为0.15～0.26，且满足0.40≤X/y≤0.50；制造该薄膜材料采用下列工艺步骤：先用真空熔炼法制作铟铝锡合金靶材，然后用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积铟铝锡合金薄膜，再将沉积的合金膜在空气或氧气气氛中高温热氧化，从而获得低阻P型透明导电的二氧化锡薄膜材料。同现有技术比较，本发明的优点是：薄膜晶格畸变小，空穴迁移率大幅度提高，电阻率大大下降。

主权项

1.一种铟铝共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料，其特征在于该薄膜材料的分子通式为AlxInySn1-x-yO2，其中X的取值范围为0.07～0.12，y的取值范围为0.15-0.26，且满足0.40≤X/y≤0.50。