[发明专利]一种铟镓共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法

摘要

一种铟镓共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法，其特征在于：该薄膜材料的分子通式可表示为Ga_xIn_ySn_1－x－yO₂，其中X的取值范围为0.09～0.15，y的取值范围为0.15～0.25，两者之比满足0.55≤X/y≤0.65；采用下列制造步骤：1)以纯度皆为99.99％的锡、铟、镓为原料，用真空融炼法制作铟镓锡三元合金磁控溅射靶材；2)取上述靶材，按常规直流磁控溅射工艺，在普通玻璃上沉积铟镓锡合金薄膜；3)将上述合金薄膜置于空气或氧气中，在400℃～550℃的情况下热氧化1～2小时，形成铟镓共掺的P型二氧化锡薄膜材料。同现有技术比较，本发明的优点是：导电薄膜材料晶格畸变小，空穴迁移率大幅度提高，电阻率大大下降。

主权项

1.一种铟镓共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料，其特征在于：该薄膜材料的分子通式为GaxInySn1-x-yO2，其中X的取值范围为0.09～0.15，y的取值范围为0.15～0.25，两者之比满足0.55≤X/y≤0.65。