[发明专利]一种制备硫化镉量子点敏化多孔二氧化钛光电极的方法无效
申请号: | 200710067777.X | 申请日: | 2007-03-26 |
公开(公告)号: | CN101026199A | 公开(公告)日: | 2007-08-29 |
发明(设计)人: | 赵高凌;任潇潇;臧金鑫;吴韡;韩高荣 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/28;H01M14/00;H01G9/20;H01G9/042 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 韩介梅 |
地址: | 310027浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开的制备硫化镉量子点敏化多孔二氧化钛光电极的方法,包括以下步骤:将表面活性剂水浴加热使其熔化,加入正丁醇和环己烷,得到混合液;再向混合溶液中加入硝酸镉和硫脲,溶解后加入去离子水,形成微乳液;将微乳液倒入反应釜中水热合成,反应产物用乙醇反复清洗,真空干燥后倒入酒精,形成硫化镉量子点的酒精溶液;用溶胶凝胶法或水热结晶法制备二氧化钛多孔膜;将二氧化钛多孔膜先在草酸和巯基乙酸的酒精溶液中浸泡,然后放入硫化镉量子点酒精溶液中浸泡,使量子点自组装到二氧化钛多孔膜的表面和空洞中。本发明制备方法简单,原料成本低廉,采用本发明制得的光电极制备太阳能电池,电池的稳定性和光电转化性能得到提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 硫化 量子 点敏化 多孔 氧化 电极 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备硫化镉量子点敏化多孔二氧化钛光电极的方法,包括以下步骤:1)将表面活性剂水浴加热使其熔化,按每mmol表面活性剂加入2~4ml正丁醇和3~6ml环己烷,得到混合液;再向混合溶液中加入硝酸镉和硫脲,硫脲和硝酸镉的摩尔比为2~4,强力搅拌使其溶解,然后加入去离子水,形成微乳液;2)将制得的微乳液倒入反应釜中在100~270℃温度下水热合成8~15个小时,将反应产物用乙醇反复清洗,清除多余的表面活性剂,真空干燥后倒入酒精,形成硫化镉量子点的酒精溶液;3)用溶胶凝胶法或水热结晶法制备二氧化钛多孔膜;4)将二氧化钛多孔膜先在草酸和巯基乙酸的酒精溶液中浸泡至少3小时,草酸和巯基乙酸在酒精溶液中的摩尔浓度比为1∶3~4,然后放入步骤2)制得的硫化镉量子点酒精溶液中浸泡,使量子点自组装到二氧化钛多孔膜的表面和空洞中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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