[发明专利]锆氢晶粒增长抑制剂的制备工艺及其用途有效
| 申请号： | 200710068422.2 | 申请日： | 2007-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101041871A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 姚宇良;梁树勇;苏振华;彭维波 | 申请（专利权）人： | 宁波科宁达工业有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/04 | 分类号： | C22C1/04;C22C29/08;C22C33/02;C04B35/63;C01B6/02 |
| 代理公司： | 宁波市天晟知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张文忠 |
| 地址： | 315803浙江省宁波市北仑*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锆氢晶粒增长抑制剂的制备工艺及其用途，其中锆氢晶粒增长抑制剂的制备工艺为将海绵锆或切碎的金属锆置入氢破碎炉中，将氢破碎炉抽真空至1×10－1Pa，然后再在氢破碎炉中通入氢气至0.05MPa～0.2MPa；加热氢破碎炉至200℃～600℃，锆与氢气反应生成锆氢化合物为锆氢晶粒增长抑制剂，分子式为ZrHx；其具有简单实用、无需脱氢的显著实质性的特点；该锆氢晶粒增长抑制剂的用途能应用于包含有硬质合金、磁性材料在内的粉末冶金领域，以及陶瓷领域；其具有极易破碎到微米级的用途特点，特别对于烧结钕铁硼磁体的制备作用明显。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒 增长 抑制剂 制备 工艺 及其 用途 | ||
【主权项】：
1、一种锆氢晶粒增长抑制剂的制备工艺，其特征是：将海绵锆或切碎的金属锆置入氢破碎炉中，将氢破碎炉抽真空至1×10-1Pa，然后再在氢破碎炉中通入氢气至0.05MPa～0.2MPa；加热氢破碎炉至200℃～600℃，锆与氢气反应生成锆氢化合物为锆氢晶粒增长抑制剂，分子式为ZrHx；所述的锆与氢气反应完成后，所述的氢破碎炉排空氢气并抽真空到至少1Pa，然后该氢破碎炉通入Ar气到至少0.01MPa；所述的氢破碎炉中的水冷装置启动将氢破碎炉及位于氢破碎炉内的锆氢化合物产品冷却至室温；该锆氢晶粒增长抑制剂产品出炉过程中用氮气加以保护，该锆氢晶粒增长抑制剂产品贮藏于氮气罐中。
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