[发明专利]一种Si/SnO2异质结电致发光器件及其制备方法

摘要

本发明公开的Si/SnO₂异质结电致发光器件，在硅片的抛光面自下而上依次沉积有SnO₂薄膜层和掺锡氧化铟导电薄膜层，硅片的另一面沉积有金属薄膜层。制备步骤如下：利用电子束蒸发在p型硅片的抛光面上沉积金属锡薄膜；在氧气气氛下进行氧化处理，使金属锡薄膜转变成SnO₂薄膜；采用磁控溅射或电子束蒸发的方法在硅片的另一面沉积金属薄膜层；以氩气和氧气为溅射反应气体，在SnO₂薄膜表面沉积掺锡氧化铟导电薄膜。本发明在硅基体上以二氧化锡薄膜为发光薄膜，具有更高的化学和机械稳定性，强的缺陷发光，本发明制备方法简单可控，成本低廉，掺锡氧化铟电极中含有SnO₂相，可以和SnO₂薄膜形成良好的电接触。本发明器件可以作为硅基发光器件。

主权项

1.一种Si/SnO2异质结电致发光器件，其特征是在硅片(1)的抛光面自下而上依次沉积有SnO2薄膜层(2)和掺锡氧化铟导电薄膜层(3)，硅片的另一面沉积有金属薄膜层(4)。