[发明专利]制备非晶氢硅薄膜的方法及装置无效
| 申请号： | 200710069121.1 | 申请日： | 2007-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101066842A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 张溪文;李敏伟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22;C23C16/515;C23C16/42;C23C16/54 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了制备非晶氢硅薄膜的方法及装置，将清冼后的基板置于反应室两块上下平行的电极间，反应室抽真空，以纯氮气为载气，通入氢气稀释的硅烷反应气体，基板在室温或加热至50～100℃，开启高压脉冲电源，气体放电沉积薄膜。本发明实现了非晶氢硅薄膜在多种传统基板或低熔点基板上于常温或50～100℃低温快速沉积，非晶氢硅薄膜的最大沉积速率可达20nm/min，比常规的PECVD非晶硅薄膜沉积速率提高约两倍。所制备的非晶氢硅薄膜的禁带宽度1.92～2.18eV，光、暗电导比大于两个数量级，有望在太阳能电池、建筑节能玻璃等领域获得应用。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 非晶氢硅 薄膜 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.制备非晶氢硅薄膜的方法，其特征是步骤如下：将清冼后的基板置于反应室中，反应室抽真空到至少10-3Pa，以纯氮气为载气，通入氢气稀释的体积浓度为20～50％的硅烷反应气体，反应室压强为100～1000Pa，基板在室温或加热至50～100℃，开启高压脉冲电源，调整电压5～20KV，频率5～20KHz，脉冲上升沿20kV/μS，脉冲宽度2μS，气体放电沉积薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710069121.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
