[发明专利]集成电路用的引线框架的制造方法无效
申请号: | 200710070199.5 | 申请日: | 2007-07-23 |
公开(公告)号: | CN101110368A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 曹光伟;马叶军 | 申请(专利权)人: | 宁波康强电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所 | 代理人: | 代忠炯 |
地址: | 315105浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种集成电路用的引线框架的制造方法,包括a.从同一工件上冲压出两条引线框架卷带;每条引线框架卷带包括两版单版引线框架卷带(6、7),所述两版单版引线框架卷带(6、7)相互之间通过设于引线框架卷带边带(1)外沿的分切点或分切条并列相接;b.对所述两版单版引线框架卷带(6、7)的所有焊点区域(W)同时进行电镀;c.切除分切点或分切条,再同时将所述两版单版引线框架卷带(6、7)切断,获得多个引线框架片,每个引线框架片包括多个单只引线框架。该制造方法生产效率高、质量稳定且节省生产成本。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 引线 框架 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路用的引线框架的制造方法,包括:a、从同一工件上冲压出两条引线框架卷带;每条引线框架卷带包括两版单版引线框架卷带(6、7),所述两版单版引线框架卷带(6、7)相互之间通过设于引线框架卷带边带(1)外沿的分切点或分切条并列相接;b、对所述两版单版引线框架卷带(6、7)的所有焊点区域(W)同时进行电镀;c、切除分切点或分切条,再同时将所述两版单版引线框架卷带(6、7)切断,获得多个引线框架片,每个引线框架片中包括多个单只引线框架。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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